入江 宏（Hiroshi Irie）
- 所属：
- NTT物性科学基礎研究所（量子電子物性研究部）研究員
- 専門分野：
- 超伝導体/半導体接合における量子輸送現象
- 研究題目：
- (A01) 時間反転対称性を破る超伝導体の新奇界面現象
- 領域での研究テーマ：
- 強磁性体を含む超伝導素子の実験
- 領域での役割：
- A班分担者
■ 研究室
これまでの研究
半導体と超伝導体の複合構造におけるジョセフソン効果の研究をしてきました。半導体の特徴である電界効果を利用すると、低次元量子構造に電子を閉じ込めたり、スピン起動相互作用により電子スピンを制御することができます。複合型ジョセフソン接合では、これらの電界制御と超伝導近接効果を組み合わせ、超伝導電流の制御を行うことが可能です。超伝導素子を半導体のように操り、従来の金属系超伝導素子にはない新機能を発現させることを目指して研究をしてきました。
本領域での研究
本領域では、半導体として希薄磁性半導体を用いることで、超伝導近接効果におけるスピン自由度の制御を目指します。磁性体の持つ交換相互作用を利用して、磁性体に染み出した超伝導対のスピンの向きを揃えます。このスピン三重項超伝導対と呼ばれる状態は、磁性体中でも安定に存在できるため、超伝導と磁性体を組み合わせた超伝導スピントロニクス素子への応用が期待できます。また、平均自由行程の短い磁性体中に誘起されたスピン三重項超伝導対は、時間自由度に関して反対称な奇周波数超伝導対であることが理論的に示されており、その新奇超伝導状態で起こる特異な物理現象の検出にも取り組みます。
その他
本領域では、微細構造中に異種材料を集積することにより新奇超伝導状態の生成を行います。ナノテクノロジーという工学的手法を武器に、トポロジカル量子現象という物理研究に挑戦して行きたいと思います。
略歴
- 2003年
- 東京大学工学部マテリアル工学科卒業
- 2010年
- 米国ロチェスター大学 電子工学博士号 (Ph. D.) 取得
- 2010年
- NTT物性科学基礎研究所 リサーチアソシエイト
- 2012年
- NTT物性科学基礎研究所 研究員、現在に至る
代表論文
"In0.75Ga0.25As quantum point contact utilizing wrap-gate geometry",
H. Irie, Y. Harada, H. Sugiyama, and T. Akazaki
Appl. Phys. Express 5 024001 (2012).
"Terahertz electrical response of nanoscale three-branch junctions",
H. Irie and R. Sobolewski
J. of Appl. Phys., 107 084315 (2010).
"A room temperature ballistic deflection transistor for high performance applications",
Q. Diduck, H. Irie, and M. Margala,
International Journal of High Speed Electronics and Systems, vol.19 23 (2009)
"Nonlinear characteristics of T-branch junctions: Transition from ballistic to diffusive regime",
H. Irie, Q. Diduck, M. Margala, R. Sobolewski, and M. J. Feldman,
Appl. Phys. Lett. 93, 053502 (2008)
